Справочник MOSFET. R5016ANJ

 

R5016ANJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: R5016ANJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 50 nC
   Время нарастания (tr): 50 ns
   Выходная емкость (Cd): 750 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.21 Ohm
   Тип корпуса: LPTS

 Аналог (замена) для R5016ANJ

 

 

R5016ANJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  rohm
r5016anj.pdf

R5016ANJ
R5016ANJ

10V Drive Nch MOSFET R5016ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS10.1 4.51.3 Features 1) Low on-resistance. 1.242) Fast switching speed. 3) Wide SOA (safe operating area). 2.54 0.40.784) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 2.75.08(1) Base (Gate) (1) (2) (3)5) Drive circuits can be simple. (2) Collector (Drain)6) P

 7.1. Size:238K  rohm
r5016anx.pdf

R5016ANJ
R5016ANJ

R5016ANX Transistors 10V Drive Nch MOSFET R5016ANX Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel MOSFETTO-220FM10.0 3.2 4.52.8 Features 1) Low on-resistance. 1.22) Fast switching speed. 1.33) Wide SOA (safe operating area). 4) Gate-source voltage (VGSS) 0.8(1)Baseguaranteed to be 30V. 2.54 2.54 0.75 2.6(2)Collector (1) (2) (3)5) Drive circuit

 9.1. Size:3327K  rohm
r5016fnj.pdf

R5016ANJ
R5016ANJ

R5016FNJDatasheetNch 500V 16A Power MOSFETlOutlinel LPT(S)VDSS 500VRDS(on)(Max.) 0.325 ID 16A PD 50W lInner circuitllFeaturesl1) Fast reverse recovery time (trr).2) Low on-resistance.3) Fast switching speed.4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to

 9.2. Size:1194K  rohm
r5016fnx.pdf

R5016ANJ
R5016ANJ

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R5016FNX Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1.21) Low on-resistance.1.32) Low input capacitance.0.83) High ESD.(1) Gate2.54 2.54 0.75 2.6(2) Drain(1) (2) (3)(3) Source ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkType

Другие MOSFET... R5009ANJ , R5009ANX , R5009FNX , R5011ANJ , R5011ANX , R5011FNX , R5013ANJ , R5013ANX , IRF630 , R5016ANX , R5016FNX , R5019ANJ , R5019ANX , R5021ANX , R5205CND , R5207AND , R6004CND .

History: SML4030BN

 

 
Back to Top