Справочник MOSFET. R6012ANX

 

R6012ANX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R6012ANX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: TO220FM
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

R6012ANX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1019K  rohm
r6012anx.pdfpdf_icon

R6012ANX

R6012ANXNch 600V 12A Power MOSFET DatasheetOutline TO-220FMVDSS600VRDS(on) (Max.)0.42ID12APD50W(1)(2)(3) Features Inner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple.*1 Body Diode 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead

 7.1. Size:321K  rohm
r6012anj.pdfpdf_icon

R6012ANX

10V Drive Nch MOSFET R6012ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS10.14.51.3 Features 1) Low on-resistance. 1.242) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 2.54 0.40.784) Drive circuits can be simple. 2.75.085) Parallel use is easy. (1) Gate(1) (2) (3)(2) Drain(3) SourceEach lead has same

 9.1. Size:1244K  rohm
r6012fnx.pdfpdf_icon

R6012ANX

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R6012FNX Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1) Fast reverse recovery time (trr) 1.21.32) Low on-resistance.0.83) Fast switching speed.2.54 2.54 0.75 2.64) Gate-source voltage(1) (2) (3) VGSS garanteed to be 30V .5) Drive circuits can be simple.6) Parallel us

 9.2. Size:831K  rohm
r6012fnj.pdfpdf_icon

R6012ANX

R6012FNJ Nch 600V 12A Power MOSFET DatasheetlOutline(2) VDSS600VLPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)0.51WID12A(1) PD50W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-fre

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.