R6012ANX MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: R6012ANX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
trⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
Тип корпуса: TO220FM
R6012ANX Datasheet (PDF)
r6012anx.pdf
R6012ANXNch 600V 12A Power MOSFET DatasheetOutline TO-220FMVDSS600VRDS(on) (Max.)0.42ID12APD50W(1)(2)(3) Features Inner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple.*1 Body Diode 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead
r6012anj.pdf
10V Drive Nch MOSFET R6012ANJ Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS10.14.51.3 Features 1) Low on-resistance. 1.242) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 2.54 0.40.784) Drive circuits can be simple. 2.75.085) Parallel use is easy. (1) Gate(1) (2) (3)(2) Drain(3) SourceEach lead has same
r6012fnx.pdf
Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R6012FNX Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1) Fast reverse recovery time (trr) 1.21.32) Low on-resistance.0.83) Fast switching speed.2.54 2.54 0.75 2.64) Gate-source voltage(1) (2) (3) VGSS garanteed to be 30V .5) Drive circuits can be simple.6) Parallel us
r6012fnj.pdf
R6012FNJ Nch 600V 12A Power MOSFET DatasheetlOutline(2) VDSS600VLPT(S)(SC-83)RDS(on) (Max.)0.51WID12A(1) PD50W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-fre
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918