Справочник MOSFET. RCD050N20

 

RCD050N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RCD050N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm
   Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428
 

 Аналог (замена) для RCD050N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RCD050N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1161K  rohm
 rcd050n20.pdf pdf_icon

RCD050N20

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCD050N20 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) High-speed switching.0.753) Wide range of SOA.0.650.9 2.3(1) (2) (3)4) Drive circuits can be simple. 2.3 0.51.05) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging spe

 9.1. Size:364K  rohm
 rcd051n20.pdf pdf_icon

RCD050N20

RCD051N20 Nch 200V 5.0A Power MOSFET Data SheetlOutlineVDSS200V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)760mW(3) ID5.0A(2) (1) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100%

Другие MOSFET... R8002ANX , R8008ANX , RAF040P01 , RAL025P01 , RAL035P01 , RAL045P01 , RAQ045P01 , RCD040N25 , P60NF06 , RCD060N25 , RCD075N20 , RCD080N25 , RCD100N20 , RCJ330N25 , RCJ450N20 , RCX050N25 , RCX080N20 .

History: WMS12P03T1 | RUH60100M

 

 
Back to Top

 


 
.