Справочник MOSFET. RCD075N20

 

RCD075N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RCD075N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RCD075N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1151K  rohm
 rcd075n20.pdf pdf_icon

RCD075N20

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCD075N20 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) High-speed switching.0.753) Wide range of SOA.0.650.9 2.3(1) (2) (3)4) Drive circuits can be simple. 2.3 0.51.05) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging spe

 7.1. Size:363K  rohm
 rcd075n19.pdf pdf_icon

RCD075N20

RCD075N19 Nch 190V 7.5A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS190V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)336mW(3) ID7.5A(2) (1) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low voltage drive (4V drive).(1) Gate 2) Low on-resistance.(2) Drain (3) Source 3) Fast switching speed.4) Drive circuits can be simple.*1 BODY DIODE 5) Parallel use is easy.6) Pb-free lead p

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRF610P | AP6P090H | 2SK2074 | IRFP440R | SST308 | TP0610K-T1 | STP40NF10L

 

 
Back to Top

 


 
.