Справочник MOSFET. RMW180N03

 

RMW180N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RMW180N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: PSOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RMW180N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1179K  rohm
 rmw180n03.pdf pdf_icon

RMW180N03

Data Sheet4.5V Drive Nch MOSFETRMW180N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETPSOP8(8) (7) (6) (5)Features0~0.11) High Power package(PSOP8).2) High-speed switching,Low On-resistance.1pin mark(1) (2) (3) (4)0.220.43) Low voltage drive(4.5V drive).0.91.275.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ZXMN0545G4 | SE4060 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.