Справочник MOSFET. RP1E075RP

 

RP1E075RP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RP1E075RP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: MPT6
 

 Аналог (замена) для RP1E075RP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RP1E075RP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  rohm
 rp1e075rp.pdf pdf_icon

RP1E075RP

4V Drive Pch MOSFET RP1E075RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)Features (6) (5) (4)1) Low On-resistance.2) High power package.(1) (2) (3)3) 4V drive. ApplicationSwitching Inner circuit(6) (5) (4) Packaging specificationsPackage TapingTypeCode TR2Basic ordering unit (pieces) 1000(1) SourceRP1E075

 8.1. Size:1121K  rohm
 rp1e070xn.pdf pdf_icon

RP1E075RP

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RP1E070XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic order

 9.1. Size:286K  rohm
 rp1e090rptr.pdf pdf_icon

RP1E075RP

4V Drive Pch MOSFET RP1E090RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (MPT6).(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)TypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 1000

 9.2. Size:288K  rohm
 rp1e090rp.pdf pdf_icon

RP1E075RP

4V Drive Pch MOSFET RP1E090RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (MPT6).(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)TypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 1000

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RK7002B , RMW130N03 , RMW150N03 , RMW180N03 , RMW200N03 , RMW280N03 , RP1A090ZP , RP1E070XN , IRF1405 , RP1E090RP , RP1E090XN , RP1E100RP , RP1E100XN , RP1E125XN , RP1H065SP , RP1L055SN , RP1L080SN .

History: NCEP30P90K | IRF8306MTRPBF | ME15N10-G | PSMN7R5-30MLD | AOD2810 | IRLML2402PBF-1 | NCEP025N60G

 

 
Back to Top

 


 
.