Справочник MOSFET. RP1E100RP

 

RP1E100RP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RP1E100RP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: MPT6
 

 Аналог (замена) для RP1E100RP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RP1E100RP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  rohm
 rp1e100rp.pdf pdf_icon

RP1E100RP

4V Drive Pch MOSFET RP1E100RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) High power package.(1) (2) (3)3) 4V drive. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 1000RP1E100RP 2(1)

 0.1. Size:336K  rohm
 rp1e100rptr.pdf pdf_icon

RP1E100RP

4V Drive Pch MOSFET RP1E100RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) High power package.(1) (2) (3)3) 4V drive. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 1000RP1E100RP 2(1)

 7.1. Size:321K  rohm
 rp1e100xn.pdf pdf_icon

RP1E100RP

4V Drive Nch MOSFET RP1E100XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)TypeCode TRBasic ordering unit (pi

 9.1. Size:1134K  rohm
 rp1e125xn.pdf pdf_icon

RP1E100RP

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RP1E125XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (6) (5) (4)TypeCode TRBasic orderi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RMW180N03 , RMW200N03 , RMW280N03 , RP1A090ZP , RP1E070XN , RP1E075RP , RP1E090RP , RP1E090XN , 8N60 , RP1E100XN , RP1E125XN , RP1H065SP , RP1L055SN , RP1L080SN , RQ1A060ZP , RQ1A070AP , RQ1A070ZP .

History: IRLML2502PBF-1 | APT50M75B2FLL | VBA1630 | WVM4N50 | SD5000N | KCY3303S | TMU2N40

 

 
Back to Top

 


 
.