RP1E100XN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RP1E100XN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: MPT6

Аналог (замена) для RP1E100XN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RP1E100XN даташит

 ..1. Size:321K  rohm
 rp1e100xn.pdf pdf_icon

RP1E100XN

4V Drive Nch MOSFET RP1E100XN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) (3) 3) Small Surface Mount Package (MPT6). Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ordering unit (pi

 7.1. Size:338K  rohm
 rp1e100rp.pdf pdf_icon

RP1E100XN

4V Drive Pch MOSFET RP1E100RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3) 3) 4V drive. Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic ordering unit (pieces) 1000 RP1E100RP 2 (1)

 7.2. Size:336K  rohm
 rp1e100rptr.pdf pdf_icon

RP1E100XN

4V Drive Pch MOSFET RP1E100RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3) 3) 4V drive. Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic ordering unit (pieces) 1000 RP1E100RP 2 (1)

 9.1. Size:1134K  rohm
 rp1e125xn.pdf pdf_icon

RP1E100XN

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RP1E125XN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) (3) 3) Small Surface Mount Package (MPT6). Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic orderi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RMW200N03, RMW280N03, RP1A090ZP, RP1E070XN, RP1E075RP, RP1E090RP, RP1E090XN, RP1E100RP, AON7403, RP1E125XN, RP1H065SP, RP1L055SN, RP1L080SN, RQ1A060ZP, RQ1A070AP, RQ1A070ZP, RQ1C065UN