Справочник MOSFET. RRL035P03

 

RRL035P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RRL035P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
 

 Аналог (замена) для RRL035P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRL035P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  rohm
 rrl035p03.pdf pdf_icon

RRL035P03

4V Drive Pch MOSFETRRL035P03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTUMT6Features1) Low On-resistance.2) High speed switching.Abbreviated symbol :UF ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 30002RRL035P03 1(1) Drain(2) Drain

Другие MOSFET... RRF015P03 , RRH040P03 , RRH050P03 , RRH075P03 , RRH090P03 , RRH100P03 , RRH140P03 , RRL025P03 , IRF1404 , RRQ030P03 , RRQ045P03 , RRR015P03 , RRR030P03 , RRR040P03 , RSC002P03 , RSD050N06 , RSD050N10 .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.