Справочник MOSFET. RTF015N03

 

RTF015N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RTF015N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TUMT3
 

 Аналог (замена) для RTF015N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTF015N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  rohm
 rtf015n03.pdf pdf_icon

RTF015N03

2.5V Drive Nch MOSFET RTF015N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT30.85Max.2.00.30.77 Features (3)1) Low On-resistance. 0~0.12) Space saving, small surface mount package (TUMT3). (1) (2)3) Low voltage drive (2.5V drive). 0.170.65 0.651.3(1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : PP Applications (3) DrainSwitching Packagi

 0.1. Size:157K  rohm
 rtf015n03tl.pdf pdf_icon

RTF015N03

2.5V Drive Nch MOSFET RTF015N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT30.85Max.2.00.30.77 Features (3)1) Low On-resistance. 0~0.12) Space saving, small surface mount package (TUMT3). (1) (2)3) Low voltage drive (2.5V drive). 0.170.65 0.651.3(1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : PP Applications (3) DrainSwitching Packagi

 8.1. Size:88K  rohm
 rtf015p02tl.pdf pdf_icon

RTF015N03

RTF015P02 Transistors DC-DC Converter (-20V, -1.5A) RTF015P02 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. (80m at 2.5V) TUMT32.00.1 0.85MAX2) High power package. 0.770.050.3+0.1-0.053) High speed switching. (3)4) Low voltage drive. (2.5V) 0 to 0.1(1) (2) Applications 0.65 0.650.170.05DC-DC converter 1.30.1Each lead has

 9.1. Size:1118K  rohm
 rtf016n05.pdf pdf_icon

RTF015N03

Data Sheet2.5V Drive Nch MOSFET RTF016N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTUMT3Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TUMT3).Abbreviated symbol : PU ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode TLBasic ordering unit (piec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RSU002P03 , RT1A045AP , RT1A050ZP , RT1A060AP , RT1C060UN , RT1E040RP , RT1E050RP , RT1E060XN , 13N50 , RTF016N05 , RTF025N03 , RTL035N03 , RTQ020N03 , RTQ020N05 , RTQ035N03 , RTQ045N03 , RTR020N05 .

History: SI2308BDS | HM8205 | IRF3805SPBF | AP2325GEN | RZR020P01 | 2SJ118 | SUM110N06-3M9H

 

 
Back to Top

 


 
.