RW1C020UN - описание и поиск аналогов

 

RW1C020UN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RW1C020UN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: WEMT6

Аналог (замена) для RW1C020UN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RW1C020UN даташит

 ..1. Size:224K  rohm
rw1c020un.pdfpdf_icon

RW1C020UN

1.5V Drive Nch MOSFET RW1C020UN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET WEMT6 (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Space Saving, (1) (2) (3) Small Surface Mount Package (WEMT6). 4) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol XK Applications Inner circuit Switching (6) (5) (4) 2 Packaging

 8.1. Size:2696K  rohm
rw1c026zp.pdfpdf_icon

RW1C020UN

RW1C026ZP Datasheet Pch -20V -2.5A Middle Power MOSFET lOutline l WEMT6 VDSS -20V RDS(on)(Max.) 70m ID 2.5A PD 0.7W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (WEMT6). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Haloge

 8.2. Size:1210K  rohm
rw1c025zp.pdfpdf_icon

RW1C020UN

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET RW1C025ZP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET WEMT6 (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) Small high power package. (1) (2) (3) 3) Low voltage drive.(1.5V) Abbreviated symbol ZG Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code T2CR 2 Ba

 9.1. Size:224K  rohm
rw1c015un.pdfpdf_icon

RW1C020UN

1.5V Drive Nch MOSFET RW1C015UN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET WEMT6 (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. Low voltage drive. (1.5V) (1) (2) (3) Abbreviated symbol PS Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code T2R Basic ordering unit (pieces) 8000

Другие MOSFET... RUR040N02 , RUU002N05 , RVQ040N05 , RW1A013ZP , RW1A020ZP , RW1A025AP , RW1A030AP , RW1C015UN , IRFZ44N , RW1C025ZP , RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 .

History: BSC200P03LSG | AP3010 | SI2392ADS | FDB0690N1507L | ME4925

 

 

 

 

↑ Back to Top
.