RW1C020UN. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: RW1C020UN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: WEMT6
Аналог (замена) для RW1C020UN
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
RW1C020UN даташит
rw1c020un.pdf
1.5V Drive Nch MOSFET RW1C020UN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET WEMT6 (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Space Saving, (1) (2) (3) Small Surface Mount Package (WEMT6). 4) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol XK Applications Inner circuit Switching (6) (5) (4) 2 Packaging
rw1c026zp.pdf
RW1C026ZP Datasheet Pch -20V -2.5A Middle Power MOSFET lOutline l WEMT6 VDSS -20V RDS(on)(Max.) 70m ID 2.5A PD 0.7W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (WEMT6). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Haloge
rw1c025zp.pdf
Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET RW1C025ZP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET WEMT6 (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) Small high power package. (1) (2) (3) 3) Low voltage drive.(1.5V) Abbreviated symbol ZG Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code T2CR 2 Ba
rw1c015un.pdf
1.5V Drive Nch MOSFET RW1C015UN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET WEMT6 (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. Low voltage drive. (1.5V) (1) (2) (3) Abbreviated symbol PS Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code T2R Basic ordering unit (pieces) 8000
Другие MOSFET... RUR040N02 , RUU002N05 , RVQ040N05 , RW1A013ZP , RW1A020ZP , RW1A025AP , RW1A030AP , RW1C015UN , IRFZ44N , RW1C025ZP , RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 .
History: BSC200P03LSG | AP3010 | SI2392ADS | FDB0690N1507L | ME4925
History: BSC200P03LSG | AP3010 | SI2392ADS | FDB0690N1507L | ME4925
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent




