BUZ90A - описание и поиск аналогов

 

BUZ90A - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BUZ90A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для BUZ90A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ90A технические параметры

 ..1. Size:175K  siemens
buz90a.pdfpdf_icon

BUZ90A

BUZ 90 A SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 90 A 600 V 4 A 2 TO-220 AB C67078-S1321-A3 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 30 C 4 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 16 Avalanche current,limited by Tjmax IAR 4.

 ..2. Size:228K  inchange semiconductor
buz90a.pdfpdf_icon

BUZ90A

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ90A FEATURES High speed switching Low R DS(ON) Easy driver for cost effective application Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Automotive power actuator drivers Motor controls DC-DC converters ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Sourc

 9.1. Size:176K  siemens
buz90.pdfpdf_icon

BUZ90A

BUZ 90 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 90 600 V 4.5 A 1.6 TO-220 AB C67078-S1321-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 28 C 4.5 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 18 Avalanche current,limited by Tjmax IAR

 9.2. Size:35K  magnatec
buz905x4s buz906x4s.pdfpdf_icon

BUZ90A

BUZ905X4S MAGNA BUZ906X4S TEC NEW PRODUCT UNDER DEVELOPMENT MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL POWER MOSFET 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) 31.5 (1.240) 31.7 (1.248) POWER MOSFETS FOR 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 4.3 (0.169 ) (4 places) AUDIO APPLICATIONS 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) 1 2 (4 places) R 4.0 (0.

Другие MOSFET... BUZ907 , BUZ907D , BUZ907DP , BUZ907P , BUZ908 , BUZ908D , BUZ908DP , BUZ908P , EMB04N03H , BUZ92 , BUZ94 , C2T204 , C2T205 , C2T206 , C2T211 , C2T212 , C2T213 .

History: VBI1695 | SLC700MM10SCN2 | DHD015N06 | VBJ1101M | VBJ1322

 

 
Back to Top

 


 
.