KP509B9 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: KP509B9
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 240 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 14 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: KT46A
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам