DM616 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DM616 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
Тип корпуса: TO72
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для DM616
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DM616 даташит
No data!
Другие IGBT... C2T205, C2T206, C2T211, C2T212, C2T213, C2T225, C2T225A, DM601, IRF740, ECG221, ECG454, ECG455, F5001H, F5016H, F5017H, F5018, F5019
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: SSW60R130S2 | SI7674DP | HM80N04 | DHFSJ5N65 | SSW60R140SFD | AGM065N10C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m
