DM616 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DM616
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
Тип корпуса: TO72
Аналог (замена) для DM616
DM616 Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие MOSFET... C2T205 , C2T206 , C2T211 , C2T212 , C2T213 , C2T225 , C2T225A , DM601 , 20N60 , ECG221 , ECG454 , ECG455 , F5001H , F5016H , F5017H , F5018 , F5019 .
History: STP20N06FI | JMTG3005A | IXFN27N80
History: STP20N06FI | JMTG3005A | IXFN27N80
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM15N10D | AGM15N10AP | AGM150P10S | AGM150P10D | AGM150P10AP | AGM14N10D | AGM14N10AP | AGM14N10A | AGM1405F | AGM1405C1 | AGM13T30D | AGM13T30A | AGM13T15D | AGM13T15C | AGM13T15A | AGM20P22AS
Popular searches
2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m

