DM616 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DM616
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
Тип корпуса: TO72
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DM616 Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие MOSFET... C2T205 , C2T206 , C2T211 , C2T212 , C2T213 , C2T225 , C2T225A , DM601 , IRF840 , ECG221 , ECG454 , ECG455 , F5001H , F5016H , F5017H , F5018 , F5019 .
History: SWD8N65DB | NCEP60T20
History: SWD8N65DB | NCEP60T20



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ11DN10A | JMTQ100P03A | JMTQ100N04A | JMTQ100N03D | JMTQ100N03A | JMTK90N02A | JMTK80N06A | JMTK75N02A | JMTK70N07A | JMTK60N04B | JMTK58N06B | JMTK50P03A | JMTK50P02A | JMTK50N06B | JMTK50N03A | JMTK500N10A
Popular searches
2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m