2P7172A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2P7172A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 125 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
Тип корпуса: KT97V
2P7172A Datasheet (PDF)
4.1. 2p7172.pdf 
Size:350K _integral
2П7172 полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом Назначение Кремниевый эпитаксиально – планарный полевой с изолированным затвором, обогащением n-канал
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
