2N7002KDW MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N7002KDW
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.225 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.115 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 25 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 7.5 Ohm
Тип корпуса: SOT363
2N7002KDW Datasheet (PDF)
0.1. 2n7002kdw.pdf 
Size:425K _secos
2N7002KDW 115mA, 60V Dual N-Channel Small Signal MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A Suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-363FEATURES A Low on-resistance EL Fast switching Speed 6 5 4 Low-voltage drive Easily designed drive circuits B ESD protected:2000V 1 2 3FC H6 5 4MECHANICAL DATA JD2 G1 S1 D
0.2. 2n7002kdw.pdf Size:1310K _jiangsu
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETS 2N7002KDW N-channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-363 5@10V 660V5340mA45.3@4.5V123FEATURE APPLICATION z High density cell design for Low RDS on Load Switch for Portable Devicesz Voltage controlled small signal switch DC/DC Converter z Rugged
0.3. 2n7002kdw.pdf Size:161K _wietron
2N7002KDWDual N-Channel MOSFET65P b Lead(Pb)-Free 4123Features:* Low On-ResistanceSOT-363(SC-88)* Fast Switching Speed* Low-voltage drive6 5 4* Easily designed drive circuitsD2 G1 S1* ESD Protected:2000VMechanical Data:*Case: SOT-363, Molded Plastic*Case Material-UL Flammability Rating 94V-0S2 G2 D1*Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 2081 2
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
