Справочник MOSFET. F5017H

 

F5017H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F5017H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO220F5
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

F5017H Datasheet (PDF)

 9.1. Size:40K  fuji
 f5016 f5017 f5018 f5019 f5020 f5021 f5022 f5023 f5028 f5029 f5030 f5031 f5032 f5033 f5038 f5041 f5042 f5043 f5044 f9202 f9203 f9206 f9207 f9208 f9209.pdf pdf_icon

F5017H

MOSFET / Pwer MOSFETs MOSFET Pwer MOSFET F TI F T VDSS ID ID (pulse) RDS (on) PD VGSS VGS (th) Device type Max. Typ. Package Net massVolts Amps. Amps. Ohms () Watts Volts Volts GramsF5018 40 8 - 0.14 15 - - K-pack 0.6F5019 40 12 - 0.14 30 - - T-pack 1.6F5020 40 3

Другие MOSFET... C2T225A , DM601 , DM616 , ECG221 , ECG454 , ECG455 , F5001H , F5016H , IRF640 , F5018 , F5019 , F5020 , F5021H , F5022 , F5023 , F5026 , F5027 .

History: STN3456 | BLF6G15LS-500H | SLF13N50C | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.