F5017H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: F5017H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO220F5
F5017H Datasheet (PDF)
9.1. Size:40K fuji
f5016 f5017 f5018 f5019 f5020 f5021 f5022 f5023 f5028 f5029 f5030 f5031 f5032 f5033 f5038 f5041 f5042 f5043 f5044 f9202 f9203 f9206 f9207 f9208 f9209.pdf
f5016 f5017 f5018 f5019 f5020 f5021 f5022 f5023 f5028 f5029 f5030 f5031 f5032 f5033 f5038 f5041 f5042 f5043 f5044 f9202 f9203 f9206 f9207 f9208 f9209.pdf
MOSFET / Pwer MOSFETs MOSFET Pwer MOSFET F TI F T VDSS ID ID (pulse) RDS (on) PD VGSS VGS (th) Device type Max. Typ. Package Net massVolts Amps. Amps. Ohms () Watts Volts Volts GramsF5018 40 8 - 0.14 15 - - K-pack 0.6F5019 40 12 - 0.14 30 - - T-pack 1.6F5020 40 3
Другие MOSFET... C2T225A , DM601 , DM616 , ECG221 , ECG454 , ECG455 , F5001H , F5016H , IRFZ44 , F5018 , F5019 , F5020 , F5021H , F5022 , F5023 , F5026 , F5027 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: NCE65TF130T | LTP70N06P | HY3506B | HY3506P | DP3080 | CRSS035N10N | CRST037N10N | S85N16S | S85N16RP | S85N16RN | S85N16R | S85N048S | S85N042S | S85N042RP | S85N042RN | S85N042R