Справочник MOSFET. SMG2398NE

 

SMG2398NE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMG2398NE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.194 Ohm
   Тип корпуса: SC59
 

 Аналог (замена) для SMG2398NE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMG2398NE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  secos
smg2398ne.pdfpdf_icon

SMG2398NE

SMG2398NE 2.2 A, 60 V, RDS(ON) 194 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a High Cell Density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss ALand heat dissipation. Typical applicat

 6.1. Size:137K  secos
smg2398n.pdfpdf_icon

SMG2398NE

SMG2398N 2.2 A, 60 V, RDS(ON) 194 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, ALmaking this device ideal for use in power

 8.1. Size:136K  secos
smg2390n.pdfpdf_icon

SMG2398NE

SMG2390N N-Channel Enhancement Mode Mos.FET 1.1 A, 150 V, RDS(ON) 0.700 Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a High Cell Density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power ALloss and heat dissipation. Typical applica

 8.2. Size:1822K  secos
smg2391p.pdfpdf_icon

SMG2398NE

SMG2391P -0.9A , -150V , RDS(ON) 1.2 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free SC-59 FEATURES Low RDS(on) trench technology AL Low thermal impedance 33 Fast switching speed Top View C B11 22K EAPPLICATIONS D PoE Power Sourcing Equipment

Другие MOSFET... SMG2343PE , SMG2358N , SMG2359P , SMG2370N , SMG2371P , SMG2390N , SMG2391P , SMG2398N , AO4407 , SMG3400 , SMG3401 , SMG3402 , SMG3403 , SMG3407 , SMG5403 , SMG5406 , SMG5409 .

History: SSI1N50A | GT4953 | SSG4902NA | AOD2916

 

 
Back to Top

 


 
.