SSD408. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SSD408
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SSD408
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SSD408 даташит
ssd408.pdf
SSD408 18A, 30V,RDS(ON)18m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product Description TO-252 The SSD408 uses advanced trench technology to provide excellent on-resistance and low gate charge. The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited for use as a load switch or in
ssd40n10-30d.pdf
SSD40N10-30D 26A, 100V, RDS(ON) 36m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free FEATURES TO-252(D-Pack) Low RDS(on) trench technology. Low thermal impedance. Fast switching speed. APPLICATION PoE Power Sourcing Equipment. A C B PoE Powered Devices. D Telecom DC/DC converte
ssd40p04-20d.pdf
SSD40P04-20D P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET -36A, -40V, RDS(ON) 30m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize high cell density process. TO-252(D-Pack) Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power manageme
ssd40n04-20d.pdf
SSD40N04-20D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 39A, 40V, RDS(ON) 22m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density process. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power manageme
Другие MOSFET... SSD20P06-135D , SSD2504 , SSD2504S , SSD3055 , SSD30N03-40D , SSD30N06-39D , SSD30N10-50D , SSD30N10-70D , 75N75 , SSD40N03 , SSD40N04-20D , SSD40N10-30D , SSD40P04-20D , SSD40P04-20DE , SSD45N03 , SSD50N06-15D , SSD50P03-09D .
History: APT12060B2VFR
History: APT12060B2VFR
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor






