Справочник MOSFET. SSD9973

 

SSD9973 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSD9973
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 8 nC
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 77 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SSD9973

 

 

SSD9973 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:716K  secos
 ssd9973.pdf

SSD9973 SSD9973

SSD997314A, 60V,RDS(ON)80m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductDescriptionTO-252The SSD9973 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-252 is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications an

 8.1. Size:675K  secos
 ssd9971.pdf

SSD9973 SSD9973

SSD997125A, 60V,RDS(ON)36 m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductDescriptionTO-252The SSD9971 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-252 is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications a

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top