SSE90N04-03P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSE90N04-03P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4 nC
trⓘ - Время нарастания: 5 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SSE90N04-03P
SSE90N04-03P Datasheet (PDF)
sse90n04-03p.pdf
SSE90N04-03P 90A , 40V , RDS(ON) 5 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION TO-220P These miniature surface mount MOSFETs utilize a B Nhigh cell density trench process to provide low RDS(on) Dand to ensure minimal power loss and heat dissipation. EFEATURES
sse90n06-30p.pdf
SSE90N06-30P N-Channel Enhancement Mode Mos.FET 87 A, 60 V, RDS(ON) 26.5 m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TO-220P DESCRIPTION D These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss C and heat dissipation. Typical ap
sse90n06-10p.pdf
SSE90N06-10P 90A , 60V , RDS(ON) 9.9 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TO-220P DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a DHigh Cell Density trench process to provide low RDS(on) Cand to ensure minimal power loss and heat dissipation. BRTA
sse90n08-08.pdf
SSE90N08-08 90A , 80V , RDS(ON) 11m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TO-220P FEATURES D Low RDS(on) trench technology. C Low thermal impedance BR Fast Switch Speed. TAE SGF IAPPLICATIONS H White LED boost converters JKL Auto
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918