Справочник MOSFET. F5030

 

F5030 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F5030
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TPACK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

F5030 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:40K  fuji
 f5016 f5017 f5018 f5019 f5020 f5021 f5022 f5023 f5028 f5029 f5030 f5031 f5032 f5033 f5038 f5041 f5042 f5043 f5044 f9202 f9203 f9206 f9207 f9208 f9209.pdf pdf_icon

F5030

MOSFET / Pwer MOSFETs MOSFET Pwer MOSFET F TI F T VDSS ID ID (pulse) RDS (on) PD VGSS VGS (th) Device type Max. Typ. Package Net massVolts Amps. Amps. Ohms () Watts Volts Volts GramsF5018 40 8 - 0.14 15 - - K-pack 0.6F5019 40 12 - 0.14 30 - - T-pack 1.6F5020 40 3

Другие MOSFET... F5020 , F5021H , F5022 , F5023 , F5026 , F5027 , F5028 , F5029 , P55NF06 , F5031 , F5032 , F5033 , F5038H , FA38SA50LC , FA57SA50LC , FB180SA10 , AO3423B .

History: IXTR30N25 | 2SK3272-01L | AF5N60S | IRF624S | BL2N60-P | S10H18RN | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.