SSF1320N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SSF1320N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
Тип корпуса: SOT323
Аналог (замена) для SSF1320N
SSF1320N Datasheet (PDF)
ssf1320n.pdf

SSF1320N 2A , 20V , RDS(ON) 58 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SOT-323 These miniature surface mount MOSFETs Autilize a high cell density trench process to provide low L3RDS(ON) and to ensure minimal power loss and heat dissipation.
ssf1321p.pdf

SSF1321P -1.7A, -20V, RDS(on) 0.079 P-Channel MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A Suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low SOT-323RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters
ssf1331p.pdf

SSF1331P -1.5A, -30V, RDS(on) 0.112 P-Channel MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A Suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a SOT-323high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters
ssf13n50.pdf

SSF13N50 Main Product Characteristics VDSS 500V RDS(on) 0.39(typ.) ID 13A Marking and Pin TO-220 Schematic Diagram Assignment Features and Benefits: Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 150 o
Другие MOSFET... SSE110N03-03P , SSE70N10-44P , SSE90N04-03P , SSE90N06-10P , SSE90N06-30P , SSE90N08-08 , SSE90N10-14 , SSE90P06-08P , IRF840 , SSF1321P , SSF1331P , SSF7400 , SSF7401 , SSF84W , SSG0410 , SSG4224 , SSG4228 .
History: SRC70R670E | CEB6030L | SI9945AEY-T1-E3 | IPW60R070CFD7 | SI2369DS-T1 | SSF1331P | SSFT4003
History: SRC70R670E | CEB6030L | SI9945AEY-T1-E3 | IPW60R070CFD7 | SI2369DS-T1 | SSF1331P | SSFT4003



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent