SSG4503 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSG4503
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9 nC
Время нарастания (tr): 7(8) ns
Выходная емкость (Cd): 160(300) pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
Тип корпуса: SOP8
SSG4503 Datasheet (PDF)
ssg4503.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SSG4503N Channel 6.9A, 30V,RDS(ON) 28m P Channel -6.3A, -30V,RDS(ON) 36m Elektronische Bauelemente Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductSOP-8Description0.190.250.400.90o0.375 REFThe SSG4503 provide the designer with the best combination of fast switching, 6.205.800.25ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
ssg4502ce.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SSG4502CE N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET N-Ch: 10.0 A, 30 V, RDS(ON) 16 m Elektronische Bauelemente P-Ch: -8.5A, -30 V, RDS(ON) 23 m RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a Bhigh cell density trench process to provide low RDS(on)
ssg4505.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SSG4505N Channel 10A, 30V,RDS(ON) 14m P Channel -8.4A, -30V,RDS(ON) 20m Elektronische Bauelemente Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductSOP-8Description0.190.250.400.90o0.375 REFThe SSG4505 provide the designer with the best combination of fast switching, 6.205.800.25ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 3.
ssg4501.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SSG4501N Channel 7A, 30V,RDS(ON) 28m P Channel -5.3A, -30V,RDS(ON) 50m Elektronische Bauelemente Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product SOP-8Description0.190.250.400.90o0.375 REFThe SSG4501 provide the designer with the best combination of fast switching, 6.205.800.25rugged
ssg4502c.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SSG4502C N-Ch: 10 A, 30 V, RDS(ON) 16 mP-Ch: -8.5 A, -30 V, RDS(ON) 23 mElektronische Bauelemente N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power lo
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
![SSG4503](https://alltransistors.com/images/us.png)
![SSG4503](https://alltransistors.com/images/es.png)
![SSG4503](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C