SSG4801. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SSG4801
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для SSG4801
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SSG4801 даташит
ssg4801.pdf
SSG4801 -5 A, -30 V, RDS(ON) 50 m Dual-P Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION The SSG4801 uses advanced trench technology to provide excellent on-resistance, low gate charge and B operation with gate voltages as low as 2.5V. The device is suitable for use as a
ssg4835p.pdf
SSG4835P -9.5 A, -30 V, RDS(ON) 19 m P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs SOP-8 utilize high cell density process. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power ma
ssg4874n.pdf
SSG4874N 16.8 A, 30 V, RDS(ON) 9 m N-Channel Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to B provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC
ssg4825p.pdf
SSG4825P -11.5 A, 30 V, RDS(ON) 13 m P-Channel Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal B power loss and heat dissipation. Typical applications are DC
Другие IGBT... SSG4510, SSG4512CE, SSG4520H, SSG4530C, SSG4536C, SSG4542C, SSG4543C, SSG4639STM, K4145, SSG4825P, SSG4825PE, SSG4835P, SSG4841P, SSG4842N, SSG4874N, SSG4890N, SSG4902N
History: SI8469DB | AON7220 | SM1C01NSFH
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent








