SSP7300N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSP7300N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: SOP8PP

Аналог (замена) для SSP7300N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSP7300N даташит

 ..1. Size:890K  secos
 ssp7300n.pdf pdf_icon

SSP7300N

SSP7300N 2.4A, 300V, RDS(ON) 600 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8PP FEATURES Low RDS(on) trench technology. Low thermal impedance. Fast switching speed. APPLICATIONS White LED boost converters. Automotive Systems. Industrial DC/DC Convers

Другие IGBT... SSG9575, SSK3018K, SSM0410, SSM452, SSM9971, SSN3541, SSP7150N, SSP7200N, IRFB31N20D, SSP7411P, SSP7421P, SSP7430N, SSP7431P, SSP7432N, SSP7434N, SSP7436N, SSP7438N