SSP7434N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSP7434N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm

Тип корпуса: SOP8PP

Аналог (замена) для SSP7434N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSP7434N даташит

 ..1. Size:162K  secos
 ssp7434n.pdf pdf_icon

SSP7434N

SSP7434N 27 A, 30 V, RDS(ON) 4.9 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8PP DESCRIPTION B These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-D

 8.1. Size:143K  secos
 ssp7438n.pdf pdf_icon

SSP7434N

SSP7438N 22 A, 30 V, RDS(ON) 7.5 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8PP DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES Low RDS(on) pr

 8.2. Size:162K  secos
 ssp7432n.pdf pdf_icon

SSP7434N

SSP7432N 27 A, 30 V, RDS(ON) 4.9 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8PP DESCRIPTION B These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-D

 8.3. Size:558K  secos
 ssp7431p.pdf pdf_icon

SSP7434N

SSP7431P -17A, -30V, RDS(ON) 13 m P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8PP These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES Low RDS(on) pro

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSP7150N, SSP7200N, SSP7300N, SSP7411P, SSP7421P, SSP7430N, SSP7431P, SSP7432N, IRF830, SSP7436N, SSP7438N, SSP7440N, SSP7442N, SSP7460N, SSP7461P, SSP7462N, SSP7464N