SSP7438N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SSP7438N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: SOP8PP
Аналог (замена) для SSP7438N
SSP7438N Datasheet (PDF)
ssp7438n.pdf

SSP7438N 22 A, 30 V, RDS(ON) 7.5 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8PP DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES Low RDS(on) pr
ssp7434n.pdf

SSP7434N 27 A, 30 V, RDS(ON) 4.9 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8PPDESCRIPTION BThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-D
ssp7432n.pdf

SSP7432N 27 A, 30 V, RDS(ON) 4.9 m N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8PPDESCRIPTION BThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-D
ssp7431p.pdf

SSP7431P -17A, -30V, RDS(ON) 13 m P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8PP These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES Low RDS(on) pro
Другие MOSFET... SSP7300N , SSP7411P , SSP7421P , SSP7430N , SSP7431P , SSP7432N , SSP7434N , SSP7436N , AON7403 , SSP7440N , SSP7442N , SSP7460N , SSP7461P , SSP7462N , SSP7464N , SSP7480N , SSP7481P .
History: SNN3100L10D | SRT15N075HS2
History: SNN3100L10D | SRT15N075HS2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n