SSPS7334N. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SSPS7334N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 423 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: DFN3X38PP
Аналог (замена) для SSPS7334N
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SSPS7334N даташит
ssps7334n.pdf
SSPS7334N 17 A , 30 V , RDS(ON) 8.5 m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION DFN3x3-8PP These miniature surface mount MOSFETs B utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation
ssps7332n.pdf
SSPS7332N 17 A , 30 V , RDS(ON) 13.5 m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION DFN3x3-8PP These miniature surface mount MOSFETs B utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipat
ssps7331p.pdf
SSPS7331P -13.4 A , -30 V , RDS(ON) 13 m P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DFN3x3-8PP DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs B utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipat
ssps7333p.pdf
SSPS7333P -10.9 A , -30 V , RDS(ON) 20 m P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION DFN3x3-8PP These miniature surface mount MOSFETs B utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipat
Другие IGBT... SSP7464N, SSP7480N, SSP7481P, SSPS7321P, SSPS7330N, SSPS7331P, SSPS7332N, SSPS7333P, IRF3205, SSQ5N50, SSQ6N60, SSRF30N20-400, SSRF4N60, SSRF50P04-16, SSRF60N10, SSRF90N06, SSRF90N06-10
History: IPB110N06LG
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor





