STT3962NE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STT3962NE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.15 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 3 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.153 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
STT3962NE Datasheet (PDF)
stt3962ne.pdf
STT3962NE 2.3A , 60V , RDS(ON) 0.153 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION TSOP-6 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high Acell density trench process to provide low RDS(on) and to ELensure minimal power loss and heat dissipation
stt3962n.pdf
STT3962N N-Channel Enhancement Mode Mos.FET 2.3 A, 60 V, RDS(ON) 0.153 Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION TSOP-6These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density AEprocess. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves Lenergy, making this device ideal for use in powe
stt3922n.pdf
STT3922N 4.1A, 20V, RDS(ON) 47m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION TSOP-6 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high Acell density trench process to provide low RDS(on) and to ELensure minimal power loss and heat dissipation.
stt3981.pdf
STT3981 -1.6 A, -20 V, RDS(ON) 180 m P-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION The STT3981 utilized advance processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. The STT3981 is universally used for all comme
stt3998n.pdf
STT3998N Dual N-Ch Enhancement Mode Mos.FET 3.7 A, 20 V, RDS(ON) 58 m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TSOP-6DESCRIPTION A These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density EL trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power 6 5 4 loss and heat dissipation. Typic
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
