WT4410M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WT4410M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
Тип корпуса: SOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
WT4410M Datasheet (PDF)
wt4410m.pdf

WT4410M Surface Mount N-Channel Enhancement Mode MOSFET DRAIN CURRENT P b Lead(Pb)-Free10 AMPERS DRAIN SOUCE VOLTAGE Features: 30 VOLTAGE *Super high dense cell design for low R DS(ON) RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: HMS85N95D | 2SK3430-ZJ | APT58M80J | R6535KNZ1 | 2SK2767-01 | APT28M120L | VSE002N03MS-G
History: HMS85N95D | 2SK3430-ZJ | APT58M80J | R6535KNZ1 | 2SK2767-01 | APT28M120L | VSE002N03MS-G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710