WT4410M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WT4410M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для WT4410M
WT4410M Datasheet (PDF)
wt4410m.pdf
WT4410M Surface Mount N-Channel Enhancement Mode MOSFET DRAIN CURRENT P b Lead(Pb)-Free10 AMPERS DRAIN SOUCE VOLTAGE Features: 30 VOLTAGE *Super high dense cell design for low R DS(ON) RDS(ON)
Другие MOSFET... 2SK3541M , 4N60D , 4N60F , 4N60I , 4N60P , 8N60F , 8N60P , MGSF1P02 , 2SK3568 , WTC1333 , WTC2301 , WTC2302 , WTC2305 , WTC2305DS , WTC2306 , WTC2312 , WTC4501 .
History: FTP23N10A | MDE1991RH | 2SJ669 | EFC4618R-P | SWN4N65D | 2SK1009 | SLW20N50C
History: FTP23N10A | MDE1991RH | 2SJ669 | EFC4618R-P | SWN4N65D | 2SK1009 | SLW20N50C
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710


