WTC2301 - описание и поиск аналогов

 

WTC2301. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WTC2301

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для WTC2301

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WTC2301 даташит

 ..1. Size:566K  wietron
 wtc2301.pdf pdf_icon

WTC2301

WTC2301 P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT 3 DRAIN Mode Power MOSFET -2.3 AMPERES P b Lead(Pb)-Free DRAIN SOURCE VOLTAGE -20 VOLTAGE 1 GATE 2 Features SOURCE 3 *Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) 1 RDS(ON)

 8.1. Size:2120K  wietron
 wtc2305ds.pdf pdf_icon

WTC2301

WTC2305DS P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT 3 DRAIN Mode Power MOSFET -3.5 AMPERES DRAIN SOURCE VOLTAGE -8 VOLTAGE 1 GATE 2 Features SOURCE 3 *Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) 1 RDS(ON)

 8.2. Size:723K  wietron
 wtc2302.pdf pdf_icon

WTC2301

WTC2302 N-Channel Enhancement DRAIN CURRENT 3 DRAIN Mode Power MOSFET 2.3 AMPERES P b Lead(Pb)-Free DRAIN SOUCE VOLTAGE 20 VOLTAGE 1 GATE 2 Features SOURCE 3 *Super High Dense Cell Design For Low R DS(ON) 1 RDS(ON)

 8.3. Size:2328K  wietron
 wtc2305.pdf pdf_icon

WTC2301

WTC2305 P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT 3 DRAIN Mode Power MOSFET -4.2 AMPERES DRAIN SOURCE VOLTAGE -30 VOLTAGE 1 GATE 2 Features SOURCE 3 *Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) 1 RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 4N60F , 4N60I , 4N60P , 8N60F , 8N60P , MGSF1P02 , WT4410M , WTC1333 , 5N60 , WTC2302 , WTC2305 , WTC2305DS , WTC2306 , WTC2312 , WTC4501 , WTC9435 , WTD40N03 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.