WTC2301 - аналоги и даташиты транзистора

 

WTC2301 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WTC2301
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WTC2301

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WTC2301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:566K  wietron
 wtc2301.pdf pdf_icon

WTC2301

WTC2301P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -2.3 AMPERESP b Lead(Pb)-Free DRAIN SOURCE VOLTAGE-20 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1RDS(ON)

 8.1. Size:2120K  wietron
 wtc2305ds.pdf pdf_icon

WTC2301

WTC2305DSP-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -3.5 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGE-8 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1 RDS(ON)

 8.2. Size:723K  wietron
 wtc2302.pdf pdf_icon

WTC2301

WTC2302N-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET2.3 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOUCE VOLTAGE20 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1 RDS(ON)

 8.3. Size:2328K  wietron
 wtc2305.pdf pdf_icon

WTC2301

WTC2305P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -4.2 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGE-30 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) 1 RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 4N60F , 4N60I , 4N60P , 8N60F , 8N60P , MGSF1P02 , WT4410M , WTC1333 , 13N50 , WTC2302 , WTC2305 , WTC2305DS , WTC2306 , WTC2312 , WTC4501 , WTC9435 , WTD40N03 .

History: IRFP4768PBF | IRFP4710PBF | 2SK989

 

 
Back to Top

 


 
.