WTK4501 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WTK4501
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20(16) V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 5.2(20) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150(440) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: SOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
WTK4501 Datasheet (PDF)
wtk4501.pdf

WTK4501N-CHANNELN AND P-Channel Enhancement 7,8 DRAINDRAIN SOURCE VOLTAGEMode POWER MOSFET30 VOLTAGEP b Lead(Pb)-FreeDRAIN CURRENT7 AMPERES2 GATEP-CHANNEL1 SOURCEDRAIN SOURCE VOLTAGEFeatures:5,6 DRAIN-30 VOLTAGE* Low Gate changeDRAIN CURRENT* Low On-Resistance N-CH RDS(ON)
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: VBQA1308 | SSF20N60H | 2SK417 | LNH06R110 | 2SK3127K | TPC65R260M | BRCS100N06BD
History: VBQA1308 | SSF20N60H | 2SK417 | LNH06R110 | 2SK3127K | TPC65R260M | BRCS100N06BD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250