WTL2622 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WTL2622
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: SOT26
WTL2622 Datasheet (PDF)
wtl2622.pdf
WTL2622Dual N-Channel Enhancement 6 DRAINDRAIN CURRENTMode MOSFET520mAMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOURCE VOLTAGE50 VOLTAGE1 GATE5 SOURCEFeatures:64 DRAIN 54* Low Gate charge1* Surface Mount Package23SOT-263 GATE2 SOURCEMaximum Ratings (TAParameter Symbol Ratings UnitDrain-Source Voltage VDS 50 VGate-Source Voltage VGS 20 VContinuous Drain C
wtl2602.pdf
WTL2602N-Channel Enhancement 1,2,5,6 DRAINDRAIN CURRENT Mode Power MOSFET6.3 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOURCE VOLTAGE20 VOLTAGE3GATEFeatures: SOURCE4654*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) 1 RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918