CEB05N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CEB05N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 84 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для CEB05N65
CEB05N65 Datasheet (PDF)
cep05n65 ceb05n65 cef05n65.pdf

CEP05N65/CEB05N65CEF05N65N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP05N65 650V 2.4 4.5A 10VCEB05N65 650V 2.4 4.5A 10VCEF05N65 650V 2.4 4.5A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO
ceb05n8 cef05n8 cep05n8.pdf

CEP05N8/CEB05N8CEF05N8N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP05N8 800V 2.9 4.4A 10VCEB05N8 800V 2.9 4.4A 10VCEF05N8 800V 2.9 4.4A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF S
cep05p03 ceb05p03.pdf

CEP05P03/CEB05P03P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -18A,RDS(ON) = 70m @VGS = -10V. RDS(ON) = 120m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Другие MOSFET... CEB02N6A , CEB02N6G , CEB02N7G , CEB02N9 , CEB03N8 , CEB04N6 , CEB04N65 , CEB04N7G , IRF1404 , CEB06N7 , CEB07N65 , CEB07N65A , CEB07N7 , CEF02N65A , CEF02N65G , CEF02N6A , CEF02N6G .
History: FDD9411L-F085 | STS10N3LH5 | FDMC8010DC | NTHL033N65S3HF | AP73T02GJ-HF | IPD65R190C7 | FDC3612-HF
History: FDD9411L-F085 | STS10N3LH5 | FDMC8010DC | NTHL033N65S3HF | AP73T02GJ-HF | IPD65R190C7 | FDC3612-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260