Справочник MOSFET. CEF02N65A

 

CEF02N65A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEF02N65A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF02N65A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  cet
 cep02n65a ceb02n65a cef02n65a.pdf pdf_icon

CEF02N65A

CEP02N65A/CEB02N65ACEF02N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N65A 650V 10.5 1.3A 10VCEB02N65A 650V 10.5 1.3A 10VCEF02N65A 650V 10.5 1.3A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES C

 6.1. Size:342K  1
 cef02n65d cep02n65d ceb02n65d.pdf pdf_icon

CEF02N65A

CEP02N65D/CEB02N65D CEF02N65DPRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N65D 650V 6.9 2A 10VCEB02N65D 650V 6.9 2A 10VCEF02N65D 650V 6.9 2A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF S

 6.2. Size:393K  cet
 cep02n65g ceb02n65g cef02n65g.pdf pdf_icon

CEF02N65A

CEP02N65G/CEB02N65GCEF02N65GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N65G 650V 5.5 2A 10VCEB02N65G 650V 5.5 2A 10VCEF02N65G 650V 5.5 2A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(

 7.1. Size:393K  cet
 cep02n6g ceb02n6g cef02n6g.pdf pdf_icon

CEF02N65A

CEP02N6G/CEB02N6GCEF02N6GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N6G 600V 5 2.2A 10VCEB02N6G 600V 5 2.2A 10VCEF02N6G 600V 5 2.2A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: BUK7J1R0-40H

 

 
Back to Top

 


 
.