Справочник MOSFET. CEF02N7G

 

CEF02N7G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEF02N7G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.75 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF02N7G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:617K  cet
 cep02n7g ceb02n7g cef02n7g.pdf pdf_icon

CEF02N7G

CEP02N7G/CEB02N7GCEF02N7GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N7G 700V 6.75 2A 10VCEB02N7G 700V 6.75 2A 10VCEF02N7G 700V 6.75 2A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-

 8.1. Size:342K  1
 cef02n65d cep02n65d ceb02n65d.pdf pdf_icon

CEF02N7G

CEP02N65D/CEB02N65D CEF02N65DPRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N65D 650V 6.9 2A 10VCEB02N65D 650V 6.9 2A 10VCEF02N65D 650V 6.9 2A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF S

 8.2. Size:391K  cet
 cep02n9 ceb02n9 cef02n9.pdf pdf_icon

CEF02N7G

CEP02N9/CEB02N9CEF02N9PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N9 900V 6.8 2.6A 10VCEB02N9 900V 6.8 2.6A 10VCEF02N9 900V 6.8 2.6A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIES

 8.3. Size:391K  cet
 cep02n65a ceb02n65a cef02n65a.pdf pdf_icon

CEF02N7G

CEP02N65A/CEB02N65ACEF02N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N65A 650V 10.5 1.3A 10VCEB02N65A 650V 10.5 1.3A 10VCEF02N65A 650V 10.5 1.3A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: HUF75637P3 | CEB95P04 | BUK761R8-30C | CEF09N7G | CEF630N | SWP7N60D | SVGP159R3NL5TR

 

 
Back to Top

 


 
.