Справочник MOSFET. CEP02N65G

 

CEP02N65G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEP02N65G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEP02N65G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  cet
 cep02n65g ceb02n65g cef02n65g.pdf pdf_icon

CEP02N65G

CEP02N65G/CEB02N65GCEF02N65GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N65G 650V 5.5 2A 10VCEB02N65G 650V 5.5 2A 10VCEF02N65G 650V 5.5 2A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(

 6.1. Size:342K  1
 cef02n65d cep02n65d ceb02n65d.pdf pdf_icon

CEP02N65G

CEP02N65D/CEB02N65D CEF02N65DPRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N65D 650V 6.9 2A 10VCEB02N65D 650V 6.9 2A 10VCEF02N65D 650V 6.9 2A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF S

 6.2. Size:391K  cet
 cep02n65a ceb02n65a cef02n65a.pdf pdf_icon

CEP02N65G

CEP02N65A/CEB02N65ACEF02N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N65A 650V 10.5 1.3A 10VCEB02N65A 650V 10.5 1.3A 10VCEF02N65A 650V 10.5 1.3A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES C

 7.1. Size:393K  cet
 cep02n6g ceb02n6g cef02n6g.pdf pdf_icon

CEP02N65G

CEP02N6G/CEB02N6GCEF02N6GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N6G 600V 5 2.2A 10VCEB02N6G 600V 5 2.2A 10VCEF02N6G 600V 5 2.2A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CEF05N65 , CEF06N7 , CEF07N65 , CEF07N65A , CEF07N7 , CEP01N65 , CEP01N6G , CEP02N65A , IRF4905 , CEP02N6A , CEP02N6G , CEP02N7G , CEP02N9 , CEP03N8 , CEP04N6 , CEP04N65 , CEP04N7G .

History: P5503QV | RSD131P10FRA | APM7330J | AP9971GI-HF

 

 
Back to Top

 


 
.