Справочник MOSFET. CEF13N5A

 

CEF13N5A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEF13N5A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для CEF13N5A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF13N5A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:435K  cet
 cep13n5a ceb13n5a cef13n5a.pdf pdf_icon

CEF13N5A

CEP13N5A/CEB13N5ACEF13N5APRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP13N5A 500V 0.48 13A 10VCEB13N5A 500V 0.48 13A 10VCEF13N5A 500V 0.48 13A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES C

 7.1. Size:412K  cet
 cep13n5 ceb13n5 cef13n5.pdf pdf_icon

CEF13N5A

CEP13N5/CEB13N5 CEF13N5PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP13N5 500V 0.48 13A 10VCEB13N5 500V 0.48 13A 10VCEF13N5 500V 0.48 13A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIES

Другие MOSFET... CEP04N65 , CEP04N7G , CEP05N65 , CEP06N7 , CEP07N65 , CEP07N65A , CEP07N7 , CEB13N5A , IRLZ44N , CEP13N5A , CEB08N8 , CEF08N8 , CEP08N8 , CEB20A03 , CEP20A03 , CEB14G04 , CEP14G04 .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.