CEF13N5A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEF13N5A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для CEF13N5A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF13N5A даташит

 ..1. Size:435K  cet
 cep13n5a ceb13n5a cef13n5a.pdf pdf_icon

CEF13N5A

CEP13N5A/CEB13N5A CEF13N5A PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP13N5A 500V 0.48 13A 10V CEB13N5A 500V 0.48 13A 10V CEF13N5A 500V 0.48 13A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES C

 7.1. Size:412K  cet
 cep13n5 ceb13n5 cef13n5.pdf pdf_icon

CEF13N5A

CEP13N5/CEB13N5 CEF13N5 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP13N5 500V 0.48 13A 10V CEB13N5 500V 0.48 13A 10V CEF13N5 500V 0.48 13A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES

Другие IGBT... CEP04N65, CEP04N7G, CEP05N65, CEP06N7, CEP07N65, CEP07N65A, CEP07N7, CEB13N5A, AON6380, CEP13N5A, CEB08N8, CEF08N8, CEP08N8, CEB20A03, CEP20A03, CEB14G04, CEP14G04