CEF13N5A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEF13N5A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 31 nC
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 185 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.48 Ohm
Тип корпуса: TO220F
CEF13N5A Datasheet (PDF)
cep13n5a ceb13n5a cef13n5a.pdf
CEP13N5A/CEB13N5ACEF13N5APRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP13N5A 500V 0.48 13A 10VCEB13N5A 500V 0.48 13A 10VCEF13N5A 500V 0.48 13A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES C
cep13n5 ceb13n5 cef13n5.pdf
CEP13N5/CEB13N5 CEF13N5PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP13N5 500V 0.48 13A 10VCEB13N5 500V 0.48 13A 10VCEF13N5 500V 0.48 13A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIES
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
