Справочник MOSFET. CEB140N10

 

CEB140N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB140N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 137 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 605 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB140N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:383K  cet
 cep140n10 ceb140n10.pdf pdf_icon

CEB140N10

CEP140N10/CEB140N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 137A, RDS(ON) = 7.5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise

 9.1. Size:397K  cet
 cep14a04 ceb14a04.pdf pdf_icon

CEB140N10

CEP14A04/CEB14A04N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES40V, 180A, RDS(ON) = 5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise note

 9.2. Size:421K  cet
 cep14g04 ceb14g04.pdf pdf_icon

CEB140N10

CEP14G04/CEB14G04N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES40V, 140A, RDS(ON) = 3.6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.5m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 9.3. Size:385K  cet
 cef14p20 cep14p20 ceb14p20.pdf pdf_icon

CEB140N10

CEP14P20/CEB14P20CEF14P20PRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP14P20 -200V 0.36 -13.5A -10VCEB14P20 -200V 0.36 -13.5A -10VCEF14P20 -200V 0.36 -13.5A d -10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: RSF014N03TL | SIHLL014 | BUK9620-55 | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.