Справочник MOSFET. CEB13N5

 

CEB13N5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CEB13N5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 214 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 50 nC
   Время нарастания (tr): 62 ns
   Выходная емкость (Cd): 220 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для CEB13N5

 

 

CEB13N5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  cet
cep13n5 ceb13n5 cef13n5.pdf

CEB13N5
CEB13N5

CEP13N5/CEB13N5 CEF13N5PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP13N5 500V 0.48 13A 10VCEB13N5 500V 0.48 13A 10VCEF13N5 500V 0.48 13A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIES

 0.1. Size:435K  cet
cep13n5a ceb13n5a cef13n5a.pdf

CEB13N5
CEB13N5

CEP13N5A/CEB13N5ACEF13N5APRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP13N5A 500V 0.48 13A 10VCEB13N5A 500V 0.48 13A 10VCEF13N5A 500V 0.48 13A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES C

 8.1. Size:348K  cet
cep13n10 ceb13n10.pdf

CEB13N5
CEB13N5

CEP13N10/CEB13N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 12.8A, RDS(ON) = 180m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted

 8.2. Size:657K  cet
cep13n10l ceb13n10l.pdf

CEB13N5
CEB13N5

CEP13N10L/CEB13N10LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 12.8A, RDS(ON) = 175m @VGS = 10V. RDS(ON) = 185m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top