CEB1186 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CEB1186
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для CEB1186
CEB1186 Datasheet (PDF)
cep1186 ceb1186 cef1186.pdf

CEP1186/CEB1186CEF1186N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP1186 800V 2.3 6A 10VCEB1186 800V 2.3 6A 10VCEF1186 800V 2.3 6A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)
cep1195 ceb1195 cef1195.pdf

CEP1195/CEB1195 CEF1195N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP1195 900V 2.75 5A 10VCEB1195 900V 2.75 5A 10VCEF1195 900V 2.75 5A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)
ceb110p03 cep110p03.pdf

CEP110P03/CEB110P03P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES-30V, -105.5A, RDS(ON) =5.8m @VGS = -10V.RDS(ON) =8.5m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABS
Другие MOSFET... CEP10N6 , CEB09N7G , CEF09N7G , CEP09N7G , CEB08N6A , CEF08N6A , CEP08N6A , CEF1186 , IRFP064N , CEP1186 , CEB1195 , CEF1195 , CEP1195 , CEB21A2 , CEB3060 , CEB30N15L , CEB3120 .
History: CJ3139KDW | IXTQ96N15P | FDS5170N7 | CEB6060N
History: CJ3139KDW | IXTQ96N15P | FDS5170N7 | CEB6060N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078