Справочник MOSFET. CEB4060AL

 

CEB4060AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB4060AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB4060AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB4060AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:401K  cet
 cep4060al ceb4060al.pdf pdf_icon

CEB4060AL

CEP4060AL/CEB4060ALN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 17A,RDS(ON) = 75m @VGS = 10V. RDS(ON) = 90m @VGS = 5.0V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

 6.1. Size:399K  cet
 cep4060a ceb4060a.pdf pdf_icon

CEB4060AL

CEP4060A/CEB4060AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES60V, 17A, RDS(ON) = 85m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted

Другие MOSFET... CEF1195 , CEP1195 , CEB21A2 , CEB3060 , CEB30N15L , CEB3120 , CEB3205 , CEB4060A , IRFZ44 , CEB45N10 , CEB50N10 , CEB540L , CEB540N , CEB6036 , CEB6042 , CEB6056 , CEB6060L .

History: AP9977GJ-HF | UF840KL-TF1-T | 8N60KG-TF3-T | FMV11N60E | S10H06R | ZXMP4A57E6TA | HM4N65I

 

 
Back to Top

 


 
.