Справочник MOSFET. CEB75A3

 

CEB75A3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CEB75A3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 68 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 69 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 9.8 nC
   Время нарастания (tr): 5 ns
   Выходная емкость (Cd): 280 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для CEB75A3

 

 

CEB75A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  cet
 cep75a3 ceb75a3.pdf

CEB75A3 CEB75A3

CEP75A3/CEB75A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES25V, 69A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 13m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-263 & TO-220 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

 9.1. Size:857K  cet
 cep75n10 ceb75n10.pdf

CEB75A3 CEB75A3

CEP75N10/CEB75N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES100V, 72A, RDS(ON) = 15m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherw

 9.2. Size:324K  cet
 cep75n06 ceb75n06.pdf

CEB75A3 CEB75A3

CEP75N06/CEB75N06N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 87A, RDS(ON) = 12m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedPa

 9.3. Size:418K  cet
 cep75n06g ceb75n06g.pdf

CEB75A3 CEB75A3

CEP75N06G/CEB75N06GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 75A, RDS(ON) = 13m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise no

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top