Справочник MOSFET. CEB840L

 

CEB840L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CEB840L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для CEB840L

 

 

CEB840L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  cet
 cep840l ceb840l cef840l.pdf

CEB840L CEB840L

CEP840L/CEB840L CEF840LN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP840L 500V 0.8 8A 10VCEB840L 500V 0.8 8A 10VCEF840L 500V 0.8 8A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIESTO-263(

 8.1. Size:435K  cet
 cep840a ceb840a cef840a.pdf

CEB840L CEB840L

CEP840A/CEB840ACEF840APRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP840A 500V 0.85 8.5A 10VCEB840A 500V 0.85 8.5A 10VCEF840A 500V 0.85 8.5A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF

 8.2. Size:398K  cet
 cep840g ceb840g cef840g.pdf

CEB840L CEB840L

CEP840G/CEB840G CEF840GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP840G 500V 0.85 8A 10VCEB840G 500V 0.85 8A 10VCEF840G 500V 0.85 8A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIESTO-2

 9.1. Size:393K  cet
 cep84a4 ceb84a4.pdf

CEB840L CEB840L

CEP84A4/CEB84A4N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES40V, 90A, RDS(ON) = 5.1m @VGS = 10V. RDS(ON) = 7.8m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SVF8N60F | MTB110P10E3 | JCS9AN50FC

 

 
Back to Top