CEB840L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEB840L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 33 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 145 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO263
CEB840L Datasheet (PDF)
cep840l ceb840l cef840l.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
CEP840L/CEB840L CEF840LN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP840L 500V 0.8 8A 10VCEB840L 500V 0.8 8A 10VCEF840L 500V 0.8 8A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIESTO-263(
cep840a ceb840a cef840a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
CEP840A/CEB840ACEF840APRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP840A 500V 0.85 8.5A 10VCEB840A 500V 0.85 8.5A 10VCEF840A 500V 0.85 8.5A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF
cep840g ceb840g cef840g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
CEP840G/CEB840G CEF840GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP840G 500V 0.85 8A 10VCEB840G 500V 0.85 8A 10VCEF840G 500V 0.85 8A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIESTO-2
cep84a4 ceb84a4.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
CEP84A4/CEB84A4N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES40V, 90A, RDS(ON) = 5.1m @VGS = 10V. RDS(ON) = 7.8m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .