CEP730G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEP730G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 105 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1 Ohm
Тип корпуса: TO220
CEP730G Datasheet (PDF)
cep730g ceb730g cef730g.pdf
CEP730G/CEB730G CEF730GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP730G 400V 1 5.5A 10VCEB730G 400V 1 5.5A 10VCEF730G 400V 1 5.5A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIESTO-263(
cep73a3g ceb73a3g.pdf
CEP73A3G/CEB73A3GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 62A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 16m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM R
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .