Справочник MOSFET. CEP730G

 

CEP730G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEP730G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для CEP730G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEP730G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  cet
 cep730g ceb730g cef730g.pdf pdf_icon

CEP730G

CEP730G/CEB730G CEF730GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP730G 400V 1 5.5A 10VCEB730G 400V 1 5.5A 10VCEF730G 400V 1 5.5A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIESTO-263(

 9.1. Size:394K  cet
 cep73a3g ceb73a3g.pdf pdf_icon

CEP730G

CEP73A3G/CEB73A3GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 62A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 16m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM R

Другие MOSFET... CEB840G , CEB840L , CEB84A4 , CEB85A3 , CEB85N75 , CEB85N75V , CEB9060N , CEP630N , IRF520 , CEP73A3G , CEP740A , CEP740G , CEP75A3 , CEP75N06 , CEP75N06G , CEP75N10 , CEP80N15 .

History: SIJ482DP | PB606BA | P4506BD | SI7617DN | FQD7P06TM | SIR484DP | ME4972-G

 

 
Back to Top

 


 
.