CEP740A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEP740A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для CEP740A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEP740A даташит

 ..1. Size:434K  cet
 cep740a ceb740a cef740a.pdf pdf_icon

CEP740A

CEP740A/CEB740A CEF740A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP740A 400V 0.55 10A 10V CEB740A 400V 0.55 10A 10V CEF740A 400V 0.55 10A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(D

 8.1. Size:413K  cet
 cep740g ceb740g cef740g.pdf pdf_icon

CEP740A

CEP740G/CEB740G CEF740G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP740G 400V 0.55 10A 10V CEB740G 400V 0.55 10A 10V CEF740G 400V 0.55 10A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES T

Другие IGBT... CEB84A4, CEB85A3, CEB85N75, CEB85N75V, CEB9060N, CEP630N, CEP730G, CEP73A3G, IRFB31N20D, CEP740G, CEP75A3, CEP75N06, CEP75N06G, CEP75N10, CEP80N15, CEP830G, CEP83A3