CED01N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED01N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10.5 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED01N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED01N65 даташит

 ..1. Size:395K  cet
 ceu01n65 ced01n65.pdf pdf_icon

CED01N65

CED01N65/CEU01N65 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 650V, 1.2A, RDS(ON) = 10.5 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =

 0.1. Size:393K  cet
 ceu01n65a ced01n65a.pdf pdf_icon

CED01N65

CED01N65A/CEU01N65A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V, 0.9A, RDS(ON) = 15 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

 7.1. Size:408K  cet
 ced01n6g ceu01n6g.pdf pdf_icon

CED01N65

CED01N6G/CEU01N6G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 600V, 1A, RDS(ON) = 9.3 @VGS = 10V. High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G D G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Source

 8.1. Size:415K  cet
 ced01n7 ceu01n7.pdf pdf_icon

CED01N65

CED01N7/CEU01N7 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 700V, 0.8A, RDS(ON) = 18 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless othe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CEP84A4, CEP85A3, CEP85N75, CEP85N75V, CEP9060N, CEP93A3, CEBF634, CEBF640, IRFZ44N, CED01N65A, CED01N6G, CED01N7, CED02N65A, CED02N65G, CED02N6A, CED02N6G, CED02N7G