Справочник MOSFET. CED02N7G

 

CED02N7G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CED02N7G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.75 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CED02N7G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:397K  cet
 ceu02n7g ced02n7g.pdf pdf_icon

CED02N7G

CED02N7G/CEU02N7GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES700V, 1.6A, RDS(ON) = 6.75 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless o

 0.1. Size:666K  cet
 ceu02n7g-1 ced02n7g-1.pdf pdf_icon

CED02N7G

CED02N7G-1/CEU02N7G-1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES720V, 1.6A, RDS(ON) = 6.75 @VGS = 10V.750V@Tc=150 C Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 8.1. Size:417K  cet
 ceu02n65g ced02n65g.pdf pdf_icon

CED02N7G

CED02N65G/CEU02N65GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 1.8A, RDS(ON) = 5.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

 8.2. Size:416K  cet
 ceu02n65a ced02n65a.pdf pdf_icon

CED02N7G

CED02N65A/CEU02N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES650V, 1.2A, RDS(ON) = 10.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CED01N65 , CED01N65A , CED01N6G , CED01N7 , CED02N65A , CED02N65G , CED02N6A , CED02N6G , IRFP460 , CED02N7G-1 , CED02N9 , CED03N8 , CED04N6 , CED04N65 , CED04N7G , CED05N65 , CED06N7 .

History: BUK7K6R2-40E | UTT100N06 | SWP046R08E9T | SWP069R10VS | UT3404G-S08-R | HUF75344A3 | SWP630A1

 

 
Back to Top

 


 
.