Справочник MOSFET. CEU02N65G

 

CEU02N65G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEU02N65G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CEU02N65G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU02N65G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:417K  cet
ceu02n65g ced02n65g.pdfpdf_icon

CEU02N65G

CED02N65G/CEU02N65GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 1.8A, RDS(ON) = 5.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

 6.1. Size:416K  cet
ceu02n65a ced02n65a.pdfpdf_icon

CEU02N65G

CED02N65A/CEU02N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES650V, 1.2A, RDS(ON) = 10.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

 7.1. Size:417K  cet
ceu02n6g ced02n6g.pdfpdf_icon

CEU02N65G

CED02N6G/CEU02N6GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES600V, 2A, RDS(ON) = 5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherw

 7.2. Size:379K  cet
ceu02n6a ced02n6a.pdfpdf_icon

CEU02N65G

CED02N6A/CEU02N6AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES600V, 1.3A, RDS(ON) = 8.5 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless o

Другие MOSFET... CEFF640 , CEPF634 , CEPF640 , CEU01N65 , CEU01N65A , CEU01N6G , CEU01N7 , CEU02N65A , 12N60 , CEU02N6A , CEU02N6G , CEU02N7G , CEU02N7G-1 , CEU02N9 , CEU03N8 , CEU04N6 , CEU04N65 .

History: DMN65D8LW | BUZ73 | PSMN5R9-30YL | LND150N3 | VBZE50P03 | MMBFJ305 | HUFA75329S3S

 

 
Back to Top

 


 
.